価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBT5551LT3G | 350,000 | 10K | 2d | ||||||||
| Future Electronics | MMBT5551LT3G | 24 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | MMBT5551LT3G. | 350,000 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | MMBT5551LT3G | 70,000 | 10K | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBT5551LT3G | 26,296 | 1 |
CADモデル
製造元 onsemi MMBT5551LT3G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.027
$ 0.04
$ 0.04
Stock
10,087,683
92,441,430
92,441,430
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
60 mA
60 mA
60 mA
Transition Frequency
200 MHz
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
300 mW
225 mW
225 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMMBT5550LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
onsemiMMBT5550LT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
onsemiMMBT5550LT1
Cut Tape (CT) Single 3 Contains Lead Bipolar (BJT) Transistor 600mA 225mW 180V 150C
説明
onsemi MMBT5551LT3Gの詳細は販売業者から提供されます。
ON SEMI MMBT5551LT3G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 160 V, 3-PIN SOT-23
MMBT5551 Series NPN 160 V 0.6 A SMT High Voltage Silicon Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
High Voltage NPN Bipolar Transistor
General Purpose Transistors NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=80~250 P=225mW SOT23
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
60 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:160V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:-; Dc Current Gain Hfe Min:80Hfe Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5551LT3G.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current60 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント