onsemi MMBT5551LT1G

Name: onsemi MMBT5551LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT5551LT1G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

$ 0.04

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MMBT5551LT1G	17,271,000	3K	Tape & Reel					0.014
Avnet	4	MMBT5551LT1G	126,000	3K						0.012	2d
Newark	4	MMBT5551LT1G	188,180	1	Cut Tape	0.156	0.156	0.065	0.043	0.043
Arrow Electronics	3	MMBT5551LT1G	11,650	1		0.136	0.080	0.053	0.035	0.014
Verical	4	MMBT5551LT1G	1,095,000	3K						0.011

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部品

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onsemiMMBT5551LT1G

Diodes Inc.MMBT5551-7-F

Price @ 1000

$ 0.04

$ 0.06

Stock

90,737,383

9,881,049

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

160 V

Max Collector Current

60 mA

200 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFE Min

Power Dissipation

225 mW

300 mW

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MMBT5551LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet Silica

160V 225mW 600mA NPN SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

ON SEMI MMBT5551LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.06 A, 160 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

NPN transistor, 160V, 600mA, SOT-23, used for high-voltage switching and amplification

ComSIT Distribution GmbH

Bipolar Transistors (BJT); MMBT5551LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 160 V; 600 mA

Maritex

Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

Semicontronic

Transistor GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet Japan

High Voltage NPN Bipolar Transistor

onsemi

ON Semiconductor MMBT5551LT1G Transistor Tape on Full reel For high voltage

Rapid Electronics

60 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB

Component Stockers USA

TRANSISTOR, NPN, 160V, 600MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Tran

Farnell

Bjt, Npn, 160V, Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:160V; Continuous Collector Current:60Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT5551LT1G.

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