onsemi MMBT3904

Name: onsemi MMBT3904
Brand: onsemi
SKU: MMBT3904

MMBT3904 Series 40 V CE Breakdown 0.2 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	4	MMBT3904	0	5	Cut Tape	0.183*	0.064*	0.030*	0.027*	12h
element14 APAC	2	MMBT3904	0	5	Cut Tape	0.056*	0.052*	0.034*	0.027*	6h
Win Source		WS-MMBT3904	900,000	5265					0.010	14h
Worldway Electronics		MMBT3904	22,714	7	Tape & Reel	0.002	0.002	0.002	0.002	13h
UnikeyIC		MMBT3904	14,327	606	Cut Tape			0.069	0.056	12h

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IHS

Fairchild Semiconductor

onsemi

element14 APAC

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部品

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onsemiMMBT3904

onsemiMMBT3904LT1G

Price @ 1000

$ 0.034

Stock

1,267,133

73,619,147

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

Max Collector Current

200 mA

Transition Frequency

300 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

300 mV

200 mV

hFE Min

Power Dissipation

350 mW

225 mW

サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 21 hours ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 21 hours ago)

説明

onsemi MMBT3904の詳細は販売業者から提供されます。

MMBT3904 Series 40 V CE Breakdown 0.2 A NPN General Purpose Amplifier - SOT-23

Future Electronics

NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

Transistor GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet

300mV@ 5mA,50mA NPN 350mW 6V 100nA 60V 40V 200mA SOT-23-3 2.92mm*1.3mm*930¦Ìm

UnikeyIC

This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier.

Fairchild Semiconductor

TRANSISTOR, NPN SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transistor Case

Farnell

Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:SOT-23; C-E Breakdown Voltage:40V; DC Collector Current:0.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:200mV; Continuous Collector Current Ic Max:200mA; Current Ic Continuous a Max:200mA; Current Ic hFE:10mA; Device Marking:BT3904; Gain Bandwidth ft Min:300MHz; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Noise Factor Max:5dB; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:1A; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:60V

element14 APAC