onsemi MMBT3904LT1G

Name: onsemi MMBT3904LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT3904LT1G

Transistor, Bipolar, Si, NPN, General Purpose, Vceo 40VDC, IC 200MA, Pd 225MW, SOT-23

$ 0.034

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	5	MMBT3904LT1G	7,236,000	3K	Tape & Reel					0.011
Avnet	4	MMBT3904LT1G	2,796,000	3K						0.008	1d
Newark		MMBT3904LT1G	80,361	1	Cut Tape	0.126	0.126	0.051	0.034	0.034
Verical	3	MMBT3904LT1G	21,458	13044
Arrow Electronics	3	MMBT3904LT1G	105,468	1		0.114	0.071	0.043	0.029	0.010

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Newark

IHS

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部品

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onsemiMMBT3904LT1G

Diodes Inc.MMBT3904-7-F

Price @ 1000

$ 0.034

Stock

73,680,460

23,791,807

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

Max Collector Current

200 mA

Transition Frequency

300 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

200 mV

300 mV

hFE Min

Power Dissipation

225 mW

310 mW

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

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TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, GENERAL PURPOSE, VCEO 40VDC, IC 200MA, PD 225MW, SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor

onsemi

Bipolar Transistors (BJT); MMBT3904LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 40 V; 200 mA

Maritex

40V 300mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

General Purpose Transistors VCEO=40V VEBO=6V IC=200mA NPN SOT23

HQonline

TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transisto

Farnell

Bipolar Transistor, Npn, 40V Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:200Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT3904LT1G.

Newark

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 200 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 40 / DC Current Gain (hFE) = 30 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 60 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 950 / Reflow Temperature Max. °C = 260

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