CADモデル
製造元 onsemi MMBT2222AT のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.036
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Stock
2,328,874
101,983,192
101,983,192
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
-
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
300 mV
300 mV
hFE Min
40
75
75
Power Dissipation
250 mW
225 mW
225 mW
サプライチェーン
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-02-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-10-09
LTD Date2021-04-09
関連部品
ROHMMMST2222AT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.MMDT2222A-7-F
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.6 Amp 6-Pin SOT-363 Tape And Reel
説明
onsemi MMBT2222ATの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT2222AT Series 40 V 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-523F
NPN Bipolar Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-523F T/R
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height780 µm
Length1.7 mm
Width980 µm