onsemi MMBT2222ALT1G

Name: onsemi MMBT2222ALT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBT2222ALT1G

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 Tape & Reel

$ 0.036

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	4	MMBT2222ALT1G	3,138,000	3K	Tape & Reel					0.013
Avnet	4	MMBT2222ALT1G	918,000	3K						0.009	1d
Newark	4	MMBT2222ALT1G	32,842	1	Cut Tape	0.145	0.145	0.058	0.039	0.039
Arrow Electronics	2	MMBT2222ALT1G	1,548	1		0.123	0.081	0.050	0.023	0.023
Verical	3	MMBT2222ALT1G	312,000	6K						0.019

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部品

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onsemiMMBT2222ALT1G

onsemiMMBT2222LT1G

Price @ 1000

$ 0.036

$ 0.035

Stock

120,040,767

2,417,224

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

30 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

300 MHz

250 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

300 mV

1.6 V

hFE Min

Power Dissipation

225 mW

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MMBT2222ALT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 Tape & Reel

Jameco

TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, GENERAL PURPOSE, VCEO 40VDC, IC 600MA, PD 225MW, SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount

Avnet

Bipolar Transistors (BJT); MMBT2222ALT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 40 V; 600 mA

Maritex

40V 225mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

ComSIT Distribution GmbH

TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23, REEL; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 50hFE; Tra

Farnell

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 600 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 40 / DC Current Gain (hFE) = 40 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 75 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 225 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 2 / Reflow Temperature Max. °C = 260

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