onsemi FQD9N25TM-F080

Name: onsemi FQD9N25TM-F080
Brand: onsemi
SKU: FQD9N25TM-F080

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 7.4 A, 420 mΩ, DPAK

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell		FQD9N25TM-F080	0	2500	Tape & Reel					0.632*	13h
Worldway Electronics	2	FQD9N25TM-F080	25,705	7	Tape & Reel		0.592	0.581	0.559	0.547	1d
Esaler Electronic		FQD9N25TM-F080	2,500			0.507	0.502	0.497	0.493	0.489	2d
Aztech	2	FQD9N25TM_F080	18,277			1.060	1.060	1.060	1.060	1.060	1d
Vigor Components		FQD9N25TM-F080	10			0.459	0.459	0.459	0.459	0.459	4d

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IHS

Datasheet11ページ4年前

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Newark

onsemi

Fairchild Semiconductor

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-06-14

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)

LTB Date2022-06-23

LTD Date2022-12-23

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

説明

onsemi FQD9N25TM-F080の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 7.4 A, 420 mΩ, DPAK

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB

Semicontronic

Mosfet, N-Ch, 250V, 7.4A, To-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:7.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQD9N25TM-F080

Newark

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FQD9N25TM_F080

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技術仕様

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)7.4 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance420 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time45 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance700 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation55 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape & Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max420 mΩ

Rise Time105 ns

Turn-Off Delay Time25 ns

Turn-On Delay Time13 ns

データシート & ドキュメント

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