Infineon IRFR9N20DPBF

Name: Infineon IRFR9N20DPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR9N20DPBF

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

$ 1.52

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR9N20DPBF	0	1	Bulk	1.690	1.520	1.520	1.520	1.520	22h
Farnell	IRFR9N20DPBF	0	1		1.004*	1.004*	0.632*	0.494*	0.494*	5h
Win Source	WS-IRFR9N20DPBF	5,550	10			6.256	4.171	4.171	4.171	7h
Worldway Electronics	IRFR9N20DPBF	15,409	7	Tube		0.771	0.748	0.708	0.708	6h
Fly-Wing Technology	IRFR9N20DPBF	36,933			4.028	3.305	3.202	2.995	2.995	2d

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IHS

Datasheet12ページ21年前

Datasheet11ページ21年前

element14 APAC

iiiC

DigiKey

Newark

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-06-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRFR9N20DPBFの詳細は販売業者から提供されます。

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

SMPS MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

N CHANNEL MOSFET, 200V, 9.4A, D-PAK; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):380mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Power Dissipation Pd:86W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:9.4A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.75°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:86W; Power Dissipation Pd:86W; Pulse Current Idm:38A; SMD Marking:IRFR9N20D; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:5.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V

element14 APAC

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

Infineon