CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.07
$ 1.38
Stock
178,145
34,689
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
55 A
55 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
26 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
-
Power Dissipation
3.75 W
155 W
Input Capacitance
2.73 nF
-
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonIRF3710SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
InfineonIRF3710STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
onsemiHUF75639S3S
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
説明
onsemi FQB55N10TMの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 55 A, 26 mΩ, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 100V, 55A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:155W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Current Rating55 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time140 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.73 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max26 mΩ
Resistance26 mΩ
Rise Time250 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width9.65 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント