Infineon IRF3710SPBF

Name: Infineon IRF3710SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3710SPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 23MILLIOHMS; Id 57A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20

$ 2.93

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF3710SPBF	0	600	Bulk				2.930	1.720	4h
Win Source	WS-IRF3710SPBF	16,670	80				0.661	0.512	0.512	17h
Worldway Electronics	IRF3710SPBF	13,209	7	Tube		3.106	3.047	2.930	2.871	15h
Anlinkda	IRF3710SPBF	43,211			0.368	0.330	0.288	0.278	0.268	22h
RC Electronics	IRF3710SPBF	38,818	1		0.270	0.250	0.220	0.210	0.210	>1wk

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Newark

TME

iiiC

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-05-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF3710SPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 23Milliohms;ID 57A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 23 mOhm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 38 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET, N, 100V, 57A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:57A; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.54mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.7W; Pulse Current Idm:180A; SMD Marking:IRF3601S; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC