CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.328
$ 0.407
Stock
114,176
322,303
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
400 V
400 V
Continuous Drain Current (ID)
10.5 A
10 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
530 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
135 W
3.13 W
Input Capacitance
1.09 nF
-
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-01-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTB11NK40ZT4
N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB11NK50ZT4
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
説明
onsemi FQB11N40CTMの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 400 V, 10.5 A, 530 mΩ, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel 400 V 0.5 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
135W(Tc) 30V 4V@ 250µA 35nC@ 10 V 1individualNChannel 400V 530mΩ@ 5.25A,10V 10.5A 1.09nF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize onstate resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for highefficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Current Rating10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max530 mΩ
Rise Time89 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time81 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height5.08 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント