onsemi FQB11N40CTM

Name: onsemi FQB11N40CTM
Brand: onsemi
SKU: FQB11N40CTM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 400 V, 10.5 A, 530 mΩ, D2PAK

EOL

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	2	FQB11N40CTM	0	1	Cut Tape	2.918*	2.458*	2.121*	1.445*	1.405*	11h
Win Source		WS-FQB11N40CTM	9,770	90				0.672	0.448	0.448	12h
Worldway Electronics		FQB11N40CTM	27,641	7	Tape & Reel		0.335	0.324	0.307	0.307	11h
IC Components Ltd.		FQB11N40CTM	5,900			4.300	3.708	3.000	2.764	2.764	5d
Aztech		FQB11N40CTM	4,925			1.090	1.090	1.090	1.090	1.090	6h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FQB11N40CTMのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Upverter

Technical Drawing1ページ5年前

IHS

onsemi

Arrow Electronics

DigiKey

CADモデル

製造元 onsemi FQB11N40CTM のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

onsemiFQB11N40CTM

onsemiIRFW740BTM

Price @ 1000

$ 0.407

Stock

121,102

184,856

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

400 V

Continuous Drain Current (ID)

10.5 A

10 A

Threshold Voltage

Rds On Max

530 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

Power Dissipation

135 W

3.13 W

Input Capacitance

1.09 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-01-30

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 19 hours ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 19 hours ago)

説明

onsemi FQB11N40CTMの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 400 V, 10.5 A, 530 mΩ, D2PAK

onsemi

Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Avnet

N-Channel 400 V 0.5 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize onstate resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for highefficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Fairchild Semiconductor

画像

element14 APAC

Future Electronics

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)10.5 A

Current Rating10.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage400 V

Drain to Source Resistance530 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)400 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time81 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance1.09 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation135 W

Min Breakdown Voltage400 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation135 W

Rds On Max530 mΩ

Rise Time89 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time81 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)400 V

Dimensions

Height5.08 mm