onsemi FDS86141

Name: onsemi FDS86141
Brand: onsemi
SKU: FDS86141

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 7A, 23mΩ

$ 1.1

Production

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価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDS86141	22,500	1							2d
Newark	2	FDS86141	60	1	Cut Tape	2.560	1.910	1.410	1.100	1.100
Verical	4	FDS86141	8,865	7			0.874	0.874	0.874	0.874
Arrow Electronics	3	FDS86141	8,865	1		0.978	0.951	0.874	0.874	0.874
Rochester Electronics		FDS86141	2,850					1.330	1.100	0.984	21h

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Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-08-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDS86141の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 7A, 23mΩ

onsemi

FDS86141 Series 100 V 7 A 23 mOhm SMT N-Ch PowerTrench® MOSFET - SO-8

Future Electronics

MOSFET, N CH, 100V, 7A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:30A

element14 APAC

This N-channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench™ process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

画像

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight130 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)7 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance23 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time3.2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance934 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation5 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3.1 V

Number of Elements1

Power Dissipation5 W

Rds On Max23 mΩ

Rise Time3.2 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage3.1 V

Turn-Off Delay Time14.3 ns

Turn-On Delay Time8.3 ns

Dimensions

Height1.5 mm

Length4 mm

Width5 mm

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