価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7852DP-T1-E3 | 3,000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI7852DP-T1-E3 | 4,545 | 6 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7852DP-T1-E3 | 4,545 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI7852DP-T1-E3CT-ND | 8,379 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7852DP-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 16h |
CADモデル
製造元 Vishay SI7852DP-T1-E3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Vishay SI7852DP-T1-E3の詳細は販売業者から提供されます。
TRANS MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-PIN POWERPAK SO T/R | Siliconix / Vishay SI7852DP-T1-E3
1.9W(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA (Min) 41nC@ 10 V 1N 80V 16.5m¦¸@ 10A,10V 7.6A 2.5nF 4.9mm*5.89mm*1.07mm
N-Channel 80 V 7.6 A 16.5 Ohm 1.9 W Surface Mount Power MOSFET - PowerPAK-SO-8
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel MOSFETs 80V 12.5A 5.2W
IC REG BUCK ADJUSTABLE 1A 8SOIC
MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:80V; Current, Id Cont:7.6A; Resistance, Rds On:10.9ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:50A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:41nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.9W; Power, Pd:1.9W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.0165ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25K; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Voltage, Vds Max:80V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Min:2V; Width, External:6.2mm; Width, Tape:12mm
メーカーの別名
Vishayは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Vishay は以下の名前でも知られているかもしれません：
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance16.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max16.5 mΩ
Resistance16.5 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント