Infineon IRF7853PBF

Name: Infineon IRF7853PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7853PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 14.4 Milliohms; ID 8.3A; SO-8; PD 2.5W; gFS 11S

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7853PBF	0	3800	Bulk					1.450	18h
Farnell	2	IRF7853PBF	0	1	Cut Tape	1.512*	1.512*	1.081*	0.718*	0.718*	1d
Win Source		WS-IRF7853PBF	35,041	95				0.542	0.420	0.420	2h
Worldway Electronics		IRF7853PBF	12,885	7	Tube		0.150	0.146	0.138	0.138	1h
Fly-Wing Technology		IRF7853PBF	164,068			0.807	0.662	0.641	0.600	0.600	23h

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element14 APAC

Datasheet8ページ20年前

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

代替部品

部品

代替部品

InfineonIRF7853PBF

InfineonIRF7853TRPBF

Price @ 1000

$ 0.623

Stock

241,437

1,066,041

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

8.3 A

Threshold Voltage

4.9 V

Rds On Max

18 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.5 W

Input Capacitance

1.64 nF

サプライチェーン

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF7853PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14.4 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;gFS 11S

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 18 mOhm 28 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 Package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, N, 100V, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:8.3A; Cont Current Id @ 70°C:6.6; Current Id Max:8.3A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:66A; Rth:50; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC