CADモデル
製造元 onsemi FDMS7670 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-12-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
説明
onsemi FDMS7670の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 3.8mΩ
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)£¬62W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 56nC@ 10V 1individualNChannel 30V 3.8m¦¸@ 21A,10V 21A£¬42A 4.105nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.105 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.8 mΩ
Resistance3.8 MΩ
Rise Time6 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント