価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8788PBF | 0 | 3800 | Bulk | 11h | |||||||
| Farnell | IRF8788PBF | 0 | 5 | 5h | ||||||||
| Win Source | WS-IRF8788PBF | 91,660 | 120 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF8788PBF | 12,111 | 7 | Tube | 3d | |||||||
| ICPartonline | IRF8788PBF | 38,861 | >1wk |
CADモデル
製造元 Infineon IRF8788PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
関連部品
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
説明
Infineon IRF8788PBFの詳細は販売業者から提供されます。
IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SOIC Tube
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CH 30V 24A 2,8mOhm SO8 RoHSconf
MOSFET, N-CH, 30V, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:24mA; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:190A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th Min:1.35V
; Continuous Drain Current, Id:24A; On Resistance, Rds(on):2.3mohm; Current, Idm pulse:190A ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.72 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.8 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.8 mΩ
Recovery Time36 ns
Resistance2.8 MΩ
Rise Time24 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント