onsemi FDS6699S

Name: onsemi FDS6699S
Brand: onsemi
SKU: FDS6699S

N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

EOL

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDS6699S	554,500	1							2d
Flip Electronics		FDS6699S	554,500								6d
Farnell	2	FDS6699S	0	1	Cut Tape	1.673*	1.323*	0.957*	0.669*	0.656*	22h
element14 APAC	2	FDS6699S	0	1	Cut Tape	1.515*	1.199*	1.018*	0.739*	0.705*	12h
Component Stockers USA		FDS6699S	17,167			1.130	1.100	1.070	1.040	1.040	12h

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onsemi

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IHS

Fairchild Semiconductor

Future Electronics

Farnell

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-01-18

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2022-03-31

LTD Date2023-03-31

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDS6699Sの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,21A I(D),SO

Newark

MOSFET, N, SMD, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.4V; Power Dissipation Pd:2.5mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:21A; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5mW; Pulse Current Idm:106A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The FDS6699S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDS6699S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology.

Fairchild Semiconductor