CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
関連部品
InfineonIRF7853PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14.4 Milliohms;ID 8.3A;SO-8;PD 2.5W;gFS 11S
VishaySI4190ADY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 18.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
説明
onsemi FDMC86102Lの詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V , 18A, 23mΩ
MOSFET, N CH, 100V, 0.0189OHM, 18A, MLP-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0189ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate Technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance24 MΩ
Rise Time2.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント