onsemi FDD8882

Name: onsemi FDD8882
Brand: onsemi
SKU: FDD8882

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 55A, 11.5mΩ

$ 0.534

Obsolete

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価格と在庫

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Distributor		SKU		Min
Verical	6	FDD8882	5,000	584				0.593	0.529
Arrow Electronics		FDD8882	2,500	1	6.729	6.729	6.729	5.469	5.469
Avnet		FDD8882	10,000	1						2d
Rochester Electronics	2	FDD8882	78,197				0.572	0.474	0.423	39m
Flip Electronics		FDD8882	10,000							6d

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部品

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onsemiFDD8882

onsemiISL9N312AD3ST

Price @ 1000

$ 0.534

$ 0.336

Stock

419,099

557,085

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

35 A

50 A

Threshold Voltage

Rds On Max

11.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

55 W

75 W

Input Capacitance

1.26 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-10-15

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2021-10-08

LTD Date2022-04-08

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDD8882の詳細は販売業者から提供されます。

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 55A, 11.5mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

MOSFET, N D-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12.6A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation P

Farnell

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.

Fairchild Semiconductor

画像

LZChips

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)35 A

Current Rating55 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance15 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time25 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.26 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation55 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation55 W

Rds On Max11.5 mΩ

Rise Time82 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time40 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height2.39 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

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