onsemi FDD8880

Name: onsemi FDD8880
Brand: onsemi
SKU: FDD8880

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 58A, 9mΩ

$ 0.376

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDD8880	353,893	3572						0.328	6d
Arrow Electronics		FDD8880	17,500	2500						0.334
Verical		FDD8880	17,500	2500						0.334
Rochester Electronics		FDD8880	755					0.399	0.331	0.295	35m
DigiKey	3	FDD8880CT-ND	1,817	1	Cut Tape	1.280	0.802	0.530	0.376	0.376

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IHS

Master Electronics

onsemi

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onsemiFDD8880

onsemiFDD8880_NL

Price @ 1000

$ 0.376

$ 0.481

Stock

1,513,082

258,470

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

35 A

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

55 W

Input Capacitance

1.26 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-05-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

LTB Date2026-01-01

LTD Date2026-07-01

Manufacturer Lifecycle StatusLIFETIME (Last Updated: 4 days ago)

説明

onsemi FDD8880の詳細は販売業者から提供されます。

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 58A, 9mΩ

onsemi

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,13A I(D),TO-252AA

Newark

N-Channel 30 V 58 A 9 mOhm PowerTrench Mosfet TO-252AA

Future Electronics

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK / Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 30V, 58A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.

Fairchild Semiconductor