価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB16AN08A0 | 685 | 188 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDB16AN08A0 | 685 | 22h | |||||||||
| DigiKey | FDB16AN08A0CT-ND | 2,234 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FDB16AN08A0 | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDB16AN08A0 | 0 | 200 | Bulk |
CADモデル
製造元 onsemi FDB16AN08A0 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiFDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
説明
onsemi FDB16AN08A0の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 75 V, 58 A, 16 mΩ
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Transistor, mosfet, n-Channel,75V V(Br)Dss,9A I(D),to-263Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB16AN08A0
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating58 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.857 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time82 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)75 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント