CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
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Stock
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1,395,004
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23-6
SOT-23-6
Drain to Source Voltage (Vds)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
3 A
3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
169 mΩ
169 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
1.6 W
Input Capacitance
172 pF
172 pF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
InfineonIRLMS1503TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 3.2A;Micro6 (SOT-23);PD 1.7W;-55de
InfineonIRLMS5703TRPBF
MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6 P-Channel 30 V 2.4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Diodes Inc.DMG6602SVT-7
N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
説明
onsemi CPH6355-TL-Wの詳細は販売業者から提供されます。
Single P-Channel Power MOSFET, -30V, -3A, 169mΩ
P-Ch MOSFET 30V 20V 2.6V@1mA 3.9nC@10V 169mΩ@1.5A,10V 3A 172pF@10V CPH-6 SMD 2.9mm × 1.6mm × 900μm
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3A 6-Pin CPH T/R
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.169ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Resistance169 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time11.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance172 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max169 mΩ
Rise Time6.6 ns
Turn-Off Delay Time19.4 ns
Turn-On Delay Time4.6 ns