Diodes Inc. DMG6602SVT-7

Name: Diodes Inc. DMG6602SVT-7
Brand: Diodes Inc.
SKU: DMG6602SVT-7

N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6

$ 0.113

NRND

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		DMG6602SVT-7	78,000	3K						0.062	11h
Newark	3	DMG6602SVT-7	15,938	5	Cut Tape		0.282	0.172	0.148	0.148
Arrow Electronics	2	DMG6602SVT-7	27,000	1577						0.063
Verical	2	DMG6602SVT-7	27,000	1577						0.063
TME	2	DMG6602SVT-7	2,858	1		0.463*	0.324*	0.171*	0.104*	0.094*	1h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -36.59%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Diodes Inc. DMG6602SVT-7のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ7年前

Upverter

TME

Future Electronics

在庫履歴

3か月間の傾向:

-36.59%

CADモデル

製造元 Diodes Inc. DMG6602SVT-7 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-08-11

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

説明

Diodes Inc. DMG6602SVT-7の詳細は販売業者から提供されます。

N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6

Future Electronics

Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TSOT-26 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.84 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 3.4A, TSOT26; Transistor Polarity: N and P Complement; Continuous Drain Current Id: 3.4A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Vo

Farnell