CADモデル
製造元 onsemi CPH3348-TL-W のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonIRLML6401TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML6401GTRPBF
-12V Single P-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package
Diodes Inc.DMG3406L-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 0,07ohm;1.4W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
説明
onsemi CPH3348-TL-Wの詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel Power MOSFET, -12V, -3A, 70mΩ
Mosfet Transistor, P Channel, -3 A, -12 V, 0.054 Ohm, -4.5 V, -1.4 V Rohs Compliant: Yes |Onsemi CPH3348-TL-W
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin CPH T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET, P-CH, -12V, -3A, CPH-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.4V;
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance405 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max70 mΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.4 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height950 µm