onsemi FDN337N

Name: onsemi FDN337N
Brand: onsemi
SKU: FDN337N

N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ

$ 0.239

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	FDN337N	213,000	3K	Tape & Reel					0.099
Avnet	3	FDN337N	63,000	3K						0.077	3d
Newark	4	FDN337N	17,337	1	Cut Tape	0.865	0.865	0.346	0.239	0.239
Arrow Electronics	2	FDN337N	84	1		0.654	0.474	0.474	0.474	0.474
Verical	2	FDN337N	246,000	3K						0.091

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説明

onsemi FDN337Nの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ

onsemi

N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Surface Mount

EBV Elektronik

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:2.2A; On Resistance, Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:SuperSOT-3 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 70 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 4 / Rise Time ns = 10 / Turn-OFF Delay Time ns = 17 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500

Distrelec

SuperSOT™-3 N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:2.5A; Resistance, Rds On:0.052ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.7V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; Device Marking:FDN337N; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; SMD Marking:337; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm

Farnell