onsemi 2N5551

Name: onsemi 2N5551
Brand: onsemi
SKU: 2N5551

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA

$ 0.15

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Verical	2N5551	13,113	319					0.201	0.201
Master Electronics	2N5551	13,113	1		0.166	0.166	0.160	0.150	0.147
Onlinecomponents.com	2N5551	13,113	1	Bulk	0.166	0.166	0.160	0.150	0.147
Component Stockers USA	2N5551	237			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	16h
Worldway Electronics	2N5551	24,792	7	Bulk		0.012	0.012	0.012	0.012	1h

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IHS

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Datasheet1ページ0年前

Datasheet3ページ25年前

Datasheet6ページ25年前

Farnell

Newark

Electro Sonic

RS (Formerly Allied Electronics)

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部品

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onsemi2N5551

onsemi2N5551BU

Price @ 1000

$ 0.15

$ 0.053

Stock

4,656,412

1,658,447

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-92-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

160 V

Max Collector Current

600 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

200 mV

150 mV

hFE Min

Power Dissipation

1.5 W

625 mW

サプライチェーン

Country of OriginUSA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date1974-07-02

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2003-11-04

LTD Date2004-05-04

説明

onsemi 2N5551の詳細は販売業者から提供されます。

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA

IHS

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk

Verical

600 mA 160 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92

Component Stockers USA

200mV@ 50mA,5mA NPN 625mW 6V 50nA 180V 160V 600mA TO-226,TO-92 5.33mm

UnikeyIC

TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:150mV; Continuous Collector Current Ic Max:600mA; Current Ic Continuous a Max:600mA; Current Ic hFE:10mA; Device Marking:2N5551; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:80; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:b; Power Dissipation Pd:625mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:180V

element14 APAC