CADモデル
製造元 onsemi 2N5551TA のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.074
$ 0.066
$ 0.066
Stock
753,873
543,536
543,536
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
160 V
160 V
160 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi 2N5551TAの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 / Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
160V 625mW 80@10mA,5V 600mA NPN TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,600MA I(C),TO-92 83C3404;
2N5551 Series 160 V CE Breakdown 0.6 A NPN General Purpose Amplifier - TO-92
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-92-3
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント