価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BC857BW,115 | 3,970 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BC857BW,115 | 51,000 | 3K | 1d | ||||||||
| Rochester Electronics | BC857BW,115 | 10,513 | 21h | |||||||||
| Future Electronics | BC857BW,115 | 162,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | BC857BW,115 | 2,933 | 782 |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.024
$ 0.025
$ 0.025
Stock
4,261,816
4,258,128
4,258,128
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-323
SC
SC
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
200 mW
150 mW
150 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
Diodes Inc.BC857BW-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.BC857CW-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Surface Mount
Diodes Inc.BC857AW-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
説明
Nexperia BC857BW,115の詳細は販売業者から提供されます。
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors (BJT); BC857BW,115; NEXPERIA; PNP; 3
-75mV @IC = -10 mA; IB = -0.5 mA PNP 200mW 5V 15nA 50V 45V 100mA SOT-23 1mm
BC857BW Series PNP 45 V 100 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-323
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.1A, SOT323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント