CADモデル
製造元 Nexperia BC856B,215 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.031
$ 0.038
$ 0.038
Stock
2,212,900
3,786,668
3,786,668
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
250 mW
300 mW
300 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
onsemiFJV4101RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.MMBTA56-7-F
Transistor General Purpose BJT PNP 80 Volt 0.5 Amp 3-Pin SOT-23 Tape and Reel
Diodes Inc.MMBTA55-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
説明
Nexperia BC856B,215の詳細は販売業者から提供されます。
Single Bipolar Transistor, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23 (TO-236AB), 3 Pins, Surface Mount
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -65 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BC856B,215
Transistor General Purpose BJT PNP 65 Volt 0.2 Amp 3-Pin TO-236AB Tape and Reel
BC856 Series 65V 100 mA 250 mW SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
650mV@ 5mA,100mA PNP 250mW 5V 15nA 80V 65V 100mA 3000，SOT-23 SMD mount 1.1mm(height)
Bipolar Transistors - BJT PNP GP 100MA 65V
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors (BJT); BC856B,215; NEXPERIA; PNP; 3
Nexperia BC856B215 Nexperia MOSFET PNP transistor Tape Full reel
100 mA 65 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
TRANSISTOR, PNP, -65V,SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage65 V
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント