Microchip TP2104N3-G

Name: Microchip TP2104N3-G
Brand: Microchip
SKU: TP2104N3-G

Microchip TP2104N3-G P-channel Mosfet Transistor, 0.175 A, 40 V, 3-PIN TO-92

$ 0.5

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		TP2104N3-G	273	1		0.803	0.731	0.608	0.608	0.608
Future Electronics		TP2104N3-G	1,000	1K	Bulk				0.455	0.435
Avnet	2	53Y4271	273	1		0.803	0.731	0.608	0.608	0.608	1d
Arrow Electronics		TP2104N3-G	400	1		0.753	0.753	0.559	0.559	0.559
Onlinecomponents.com		TP2104N3-G	2,789	50	Bulk			0.359	0.342	0.328

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Microchip

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サプライチェーン

Projected EOL Date2034-09-09

Country of AssemblyPhilippines, Taiwan

Country of FabricationUnited States of America

Country of OriginPhilippines, Taiwan

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)

Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)

説明

Microchip TP2104N3-Gの詳細は販売業者から提供されます。

MICROCHIP TP2104N3-G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.175 A, 40 V, 3-PIN TO-92

RS (Formerly Allied Electronics)

TP2104 Series 40 V 6 Ohm P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET - TO-92

Future Electronics

MOSFET, P-CH, -40V, -0.175A, TO-92; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -175mA; Drain Source Voltage Vds: -40V; On Resistance Rds(on): 6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2V;

Farnell

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 175 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 9 / Turn-ON Delay Time ns = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-92 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Bag / Power Dissipation (Pd) mW = 740

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