CADモデル
製造元 Microchip 2N3440 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 11.82
$ 8.086
Stock
114,961
41,663
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
Power Dissipation
800 mW
800 mW
サプライチェーン
Projected EOL Date2049-02-05
Country of AssemblyPhilippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
関連部品
MicrochipJANTX2N3440
TRANS NPN 250V 1A TO39 Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39
説明
Microchip 2N3440の詳細は販売業者から提供されます。
TRANS NPN 250V 1A TO39 Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
500mV NPN 800mW 7V 2μA 300V 250V 1A TO-205AD，TO-39 Through hole mounting 6.6mm(height)
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V TO-39
2N3440 Series 250 V 1 A Through Hole NPN Epitaxial Transistor - TO-39
メーカーの別名
Microchipは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Microchip は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min40
HS Code8541.21.0095
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)200 °C
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541210080
Dimensions
Height6.6 mm