Infineon IRLS3036TRL7PP

Name: Infineon IRLS3036TRL7PP
Brand: Infineon
SKU: IRLS3036TRL7PP

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS

$ 1.523

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRLS3036TRL7PP	583	1	Cut Tape	4.700	3.110	2.200	1.910	1.910
Arrow Electronics	2	IRLS3036TRL7PP	1,166	1		1.621	1.621	1.621	1.621	1.621
Future Electronics	2	IRLS3036TRL7PP	4,800	800	Tape & Reel				1.400	1.370
DigiKey	3	IRLS3036TRL7PPCT-ND	1,909	1	Cut Tape	4.230	2.773	1.948	1.948	1.948
Avnet		IRLS3036TRL7PP	0	800					1.372	1.285	1d

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部品

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InfineonIRLS3036TRL7PP

InfineonIRLS3036-7PPBF

Price @ 1000

$ 1.523

$ 8.91

Stock

232,256

106,959

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-263-7

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

240 A

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

1.9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

380 W

Input Capacitance

11.27 nF

サプライチェーン

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRLS3036TRL7PPの詳細は販売業者から提供されます。

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 60V 2.2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7

Future Electronics

MOSFET, 60V, 300A, 1.9 MOHM, 110 NC QG, LOGIC LEVEL, D2PAK-7

Avnet

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB

Semicontronic

MOSFET, N-CH, 60V, 240A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 240A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.5V; Power Dissipation Pd: 380W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Logic Level; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive

Infineon