Infineon IRLS3036-7PPBF

Name: Infineon IRLS3036-7PPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLS3036-7PPBF

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS

$ 8.91

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLS3036-7PPBF	0	1	Bulk	9.900	8.910	8.910	8.910	8.910	17h
Farnell	IRLS3036-7PPBF	0	1		6.754*	5.201*	4.507*	3.064*	3.064*	11h
Win Source	WS-IRLS3036-7PPBF	6,300	17				2.647	2.295	2.295	2h
Worldway Electronics	IRLS3036-7PPBF	8,348	7	Tube		0.743	0.720	0.682	0.682	1h
IC Components Ltd.	IRLS3036-7PPBF	6,700			42.960	42.960	42.960	42.960	42.960	7h

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Datasheet9ページ15年前

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部品

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InfineonIRLS3036-7PPBF

InfineonIRLS3036TRL7PP

Price @ 1000

$ 8.91

$ 1.523

Stock

106,959

232,256

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

TO-263-7

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

240 A

Threshold Voltage

2.5 V

Rds On Max

1.9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

380 W

Input Capacitance

11.27 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-12-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRLS3036-7PPBFの詳細は販売業者から提供されます。

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 60 V 2.2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7

Future Electronics

MOSFET, 60V, 300A, 1.9 MOHM, 110 NC QG,LOGIC LEVEL, D2PAK-7

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB

IHS

MOSFET, N-CH 60V 240A D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:300A; Package / Case:D2-PAK-7; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V

element14 APAC

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Superior R*Q at 4.5V VGS; Logic Level; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive

Infineon