Infineon IRFU3910PBF

Name: Infineon IRFU3910PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFU3910PBF

Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK

$ 0.447

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFU3910PBF	2,485	1		0.377	0.377	0.377	0.377	0.377
Rochester Electronics		IRFU3910PBF	1,860					0.524	0.435	0.388	19m
DigiKey		IRFU3910PBF-ND	2,969	1	Tube	1.600	1.600	0.710	0.530	0.447
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFU3910PBF	0	10	Bulk		0.880	0.790	0.790	0.790	17h
Farnell	2	IRFU3910PBF	1,908	1		1.632*	0.719*	0.643*	0.439*	0.439*	10h

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部品

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InfineonIRFU3910PBF

Price @ 1000

$ 0.447

Stock

1,172,189

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-251

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

16 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

115 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

52 W

Input Capacitance

640 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IRFU3910PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 100 V 115 mOhm 29.3 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK

Future Electronics

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A) | MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK

Win Source

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

ComSIT Distribution GmbH

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:16A; On Resistance Rds(On):0.115Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 16 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 115 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 27 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 6.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-251 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 79

Distrelec