CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-06-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
説明
Infineon IRLU3410PBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 79W
Single N-Channel 100 V 105 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3
MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: IPAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 79 W
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:15A; On Resistance Rds(On):0.105Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:52W; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:17A; Junction to Case Thermal Resistance A:2.4°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:105mohm; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:52W; Power Dissipation Pd:52W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating17 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance800 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity3000
PackagingBulk
Power Dissipation52 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 mΩ
Rise Time53 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.75 mm
Length6.7056 mm
Width2.3876 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント