CADモデル
製造元 Infineon IRFS4615TRLPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.993
$ 0.745
Stock
346,994
44,936
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
33 A
33 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
42 mΩ
42 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
144 W
144 W
Input Capacitance
1.75 nF
1.75 nF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIRFS5615TRLPBF
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
説明
Infineon IRFS4615TRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D2PAK
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / MOSFET, 150V, 33A, 42 mOhm, 26 nC Qg, D2-Pak
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 33A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0345ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; P
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance42 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation144 W
Rds On Max42 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント