Infineon IRFR4105ZTRPBF

Name: Infineon IRFR4105ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR4105ZTRPBF

Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

$ 1.25

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFR4105ZTRPBF	0	20	Bulk			1.320	1.250	1.250	1d
Farnell	2	IRFR4105ZTRPBF	0	1	Cut Tape	1.756*	1.756*	1.756*	1.756*	1.756*	6h
Component Stockers USA		IRFR4105ZTRPBF	14,109			1.080	0.800	0.610	0.440	0.440	6d
Win Source		WS-IRFR4105ZTRPBF	3,890	75				0.696	0.464	0.464	8h
Worldway Electronics		IRFR4105ZTRPBF	18,896	7	Tape & Reel		0.694	0.661	0.661	0.661	8h

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Future Electronics

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InfineonIRFR4105ZTRPBF

InfineonAUIRFR4105Z

Price @ 1000

$ 1.25

$ 0.524

Stock

268,516

266,293

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

30 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

24.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

48 W

Input Capacitance

740 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-08-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

説明

Infineon IRFR4105ZTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

Win Source

Single N-Channel 55V 24.5 mOhm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC

Infineon

MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):24.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 24.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 24 / Rise Time ns = 40 / Turn-OFF Delay Time ns = 26 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 48

Distrelec