STMicroelectronics STD36P4LLF6

Name: STMicroelectronics STD36P4LLF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD36P4LLF6

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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Future Electronics

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STMicroelectronics

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-03-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

説明

STMicroelectronics STD36P4LLF6の詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 36 A STripFET F6 in a DPAK package

STMicroelectronics

60W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 22nC@ 4.5 V 1individualPChannel 40V 20.5mΩ@ 18A,10V 36A 2.85nF@25V TO-252 SMD mount 6.6mm*6.2mm*2.4mm

UnikeyIC

MOSFET, P-CH, -40V, -36A, 60W, TO-252; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -36A; Drain Source Voltage Vds: -40V; On Resistance Rds(on): 0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.5V; Power Dissipation Pd: 60W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: STripFET F6 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Farnell