Infineon IRFR3607TRPBF

Name: Infineon IRFR3607TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3607TRPBF

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

$ 0.719

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IRFR3607TRPBF	1	5	Cut Tape		1.550	1.110	1.020	1.020
Arrow Electronics	3	IRFR3607TRPBF	7,000	1		0.790	0.696	0.601	0.533	0.479
Future Electronics	3	IRFR3607TRPBF	50,000	2K	Tape & Reel					0.585
Rochester Electronics		IRFR3607TRPBF	25,069					0.773	0.642	0.572	23h
DigiKey	3	IRFR3607TRPBFCT-ND	696	1	Cut Tape	2.270	1.451	0.983	0.718	0.718

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iiiC

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InfineonIRFR3607TRPBF

InfineonAUIRFR3607

Price @ 1000

$ 0.719

$ 2.52

Stock

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126,132

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

75 V

Continuous Drain Current (ID)

56 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

140 W

Input Capacitance

3.07 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFR3607TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:56A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFR3607TRPBF.

Newark

MOSFET, N CH, 75V, 56A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)

Farnell

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

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