onsemi FDD10AN06A0

Name: onsemi FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

$ 0.972

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	FDD10AN06A0	122	1		1.484	1.240	0.888	0.888	0.888
Verical	2	FDD10AN06A0	122	7			1.240	0.888	0.888	0.888
Rochester Electronics		FDD10AN06A0	1,690					1.110	0.921	0.821	9h
DigiKey	3	FDD10AN06A0CT-ND	3,062	1	Cut Tape	2.940	1.902	1.308	0.996	0.996
Newark	2	FDD10AN06A0	0	2500	Cut Tape					1.910

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IHS

Master Electronics

Fairchild Semiconductor

onsemi

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2002-08-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDD10AN06A0の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Win Source

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 10.5mΩ

onsemi

N-Channel 60 V 10.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):9.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:135W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:50A; Package / Case:TO-252AA; Power Dissipation Pd:135W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC