Infineon IRFH5301TRPBF

Name: Infineon IRFH5301TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5301TRPBF

INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew

$ 0.543

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IRFH5301TRPBF	11,732	5	Cut Tape		1.170	0.785	0.785	0.785
Arrow Electronics	2	IRFH5301TRPBF	5,998	1		0.457	0.450	0.436	0.416	0.409
Rochester Electronics		IRFH5301TRPBF	33,519					0.610	0.507	0.452	16h
DigiKey	2	IRFH5301TRPBFCT-ND	4,653	1	Cut Tape	1.910	1.215	0.816	0.589	0.550
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH5301TRPBF	0	4K	Bulk					1.960	9h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -16.55%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRFH5301TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ11年前

Farnell

element14 APAC

在庫履歴

3か月間の傾向:

-16.55%

CADモデル

製造元 Infineon IRFH5301TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-11-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRFH5301TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew

Fly-Wing Technology

Single N-Channel 30 V 1.85 mOhm 77 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5X6mm package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N-Channel, 30V, 100A, 1.85 mOhmmax, 37 nC Qg, PQFN 5x6

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00185 ohm, PQFN, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin QFN EP T/R

Verical

N CHANNEL MOSFET, 30V, 100A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:35A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon