CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonIRFH5303TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5300TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5301TRPBF
INFINEON IRFH5301TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1.8 VNew
InfineonIRFHM8363TRPBF
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 3.3mm x3.3mm Lead Free package
InfineonIRFH8316TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
説明
Infineon IRFH8321TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R / MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
T&R / MOSFET, 30V, 25A, 4.9 mOhm, 4.7nC Qg, PQFN5x6
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 1.3C/W); Low Profile (less than 1.2 mm); Industry-Standard Pinout; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Point of Load ControlFET
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageQFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.4 W
Rds On Max4.9 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.17 mm