Infineon IRF9Z24NSTRLPBF

Name: Infineon IRF9Z24NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF9Z24NSTRLPBF

Single P-Channel 55 V 0.175 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

$ 0.875

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRF9Z24NSTRLPBF	194					0.531	0.441	0.393	22h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF9Z24NSTRLPBF	0	10	Bulk		1.490	1.310	1.310	1.310	11h
Farnell	3	IRF9Z24NSTRLPBF	0	1		2.624*	2.624*	1.305*	1.117*	1.117*	22h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF9Z24NSTRLPBF	6,890	1	Tape & Reel	0.523	0.523	0.523	0.523	0.523	1d
Win Source	2	WS-IRF9Z24NS	13,722	40				1.143	0.929	0.929	23h

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Sierra IC

iiiC

Newark

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部品

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InfineonIRF9Z24NSTRLPBF

InfineonIRF9Z24NSPBF

Price @ 1000

$ 0.875

$ 0.604

Stock

352,131

164,973

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

-55 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

4 V

-4 V

Rds On Max

175 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

350 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-06-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF9Z24NSTRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single P-Channel 55 V 0.175 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

Win Source

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -12A, 175 MOHM, 12.7 NC QG, D2-PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET, P, 55V, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-55V; Current, Id Cont:12A; Resistance, Rds On:0.175ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:TO-262AB; Current, Idm Pulse:48A; Power, Pd:45W; Voltage, Vds Max:55V; Voltage, Vgs th Max:4V; Voltage, Vgs th Min:2V

Farnell

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

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