Infineon IRF3205SPBF

Name: Infineon IRF3205SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3205SPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V

$ 2.76

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF3205SPBF	0	550	Bulk				2.760	1.630	15h
Farnell	IRF3205SPBF	0	5			1.061*	0.926*	0.766*	0.738*	23h
Win Source	WS-159456	361,820	115					0.404	0.404	1d
Worldway Electronics	IRF3205SPBF	18,199	7	Tube		0.140	0.136	0.129	0.129	23h
IC Components Ltd.	IRF3205SPBF	13,533			8.310	8.310	8.310	8.310	8.310	2d

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Newark

Datasheet11ページ22年前

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1995-11-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF3205SPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 200 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:110A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, 110A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:110A; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.54mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.7W; Pulse Current Idm:390A; SMD Marking:IRF3205S; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC