Infineon IRF7855PBF

Name: Infineon IRF7855PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7855PBF

IRF7855PBF N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC

$ 0.52

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRF7855PBF	11					0.627	0.520	0.464	1h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7855PBF	0	3800	Bulk					1.560	17h
Farnell	IRF7855PBF	0	1		1.784*	1.403*	1.069*	0.772*	0.757*	1d
Win Source	WS-IRF7855PBF	10,270	80				0.650	0.504	0.504	2h
Worldway Electronics	IRF7855PBF	6,331	7	Tube		0.170	0.165	0.156	0.156	39m

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF7855PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

element14 APAC

Datasheet8ページ19年前

IHS

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 Infineon IRF7855PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonIRF7855PBF

InfineonIRF7855TRPBF

Price @ 1000

$ 0.52

$ 0.641

Stock

84,269

714,217

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

12 A

Threshold Voltage

4.9 V

Rds On Max

9.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.5 W

Input Capacitance

1.56 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-01-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF7855PBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRF7855PBF N-channel MOSFET Transistor,12 A, 60 V, 8-Pin SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 60 V 9.4 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC N Tube

Win Source

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, N, 60V, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):9.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V; Power Dissipation Pd:97mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:7855; Current Id Max:12A; Output Current Max:2.5A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:97mW; Pulse Current Idm:97A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC