Infineon IRF7530TRPBF

Name: Infineon IRF7530TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7530TRPBF

Dual N-Channel 20 V 0.03 Ohm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-8

$ 0.75

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7530TRPBF	0	5	Bulk		0.840	0.750	0.750	0.750	18h
Farnell	3	IRF7530TRPBF	0	1	Cut Tape	1.539*	0.969*	0.643*	0.568*	0.568*	1h
Microchip USA		IRF7530TRPBF	1,346	3K						0.881	18h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF7530TRPBF	44,000	1	Tape & Reel	1.503	1.503	1.503	1.503	1.503	3h
Win Source	2	WS-IRF7530	44,000	15				2.597	2.328	2.328	3h

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部品

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InfineonIRF7530TRPBF

InfineonIRF7530PBF

Price @ 1000

$ 0.75

$ 0.48

Stock

503,049

107,068

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

MSOP

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

5.4 A

Threshold Voltage

1.2 V

Rds On Max

30 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

1.3 W

Input Capacitance

1.31 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-09-23

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

説明

Infineon IRF7530TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Dual N-Channel 20 V 0.03 Ohm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-8

Future Electronics

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 5.4A 8-Pin Micro8 T/R

Avnet Japan

20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 8 package, MICRO8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:5.4A; Package/Case:8-uSOIC; Power Dissipation, Pd:1.3W; Drain Source On Resistance @ 2.7V:45mohm ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, DUAL N-CH , 20V, 5.4A, USOIC-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.4A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 5.4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 30 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 16 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 36 / Turn-ON Delay Time ns = 8.5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = Micro8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 1.3

Distrelec