CADモデル
製造元 onsemi FDS6812A のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
関連部品
VishaySI9926CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-Channel 20V 8A 2W SOIC-8 SMD 1.75mm H 18mΩ@8.3A,4.5V 33nC@10V 1.5V@250µA 1.2nF@10V
説明
onsemi FDS6812Aの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 20V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
Dual N-Ch MOSFET, 2W, 12V, 20V, 6.7A, 22mΩ@6.7A,4.5V, 1.5V@250µA, 19nC@4.5V, 1.082nF@10V, SOIC-8, SMD, 4.9mm × 3.9mm × 1.75mm
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Current Rating6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.082 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance35 MΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)20 V