CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-04-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-07-31
LTD Date2025-01-31
関連部品
InfineonIRF7468PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 11.7 Milliohms;ID 9.4A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
説明
Infineon IRF7470TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 9 Milliohms;ID 10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Single N-Channel 40V 13 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 10A, SOIC; TRANSI; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A;
Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:40V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 10 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 3.2 / Rise Time ns = 1.9 / Turn-OFF Delay Time ns = 12 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.43 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance13 MΩ
Rise Time1.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm