Infineon IRF7468PBF

Name: Infineon IRF7468PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7468PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 11.7 Milliohms; Id 9.4A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-1

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7468PBF	0	3800	Bulk					1.107	1d
Win Source	WS-IRF7468PBF	20	18				2.143	1.857	1.857	13h
Worldway Electronics	IRF7468PBF	9,871	7	Tube		0.353	0.346	0.333	0.326	12h
SHENGYU ELECTRONICS	IRF7468PBF	13,987	1		0.332	0.326	0.320	0.310	0.290	18h
Run Hong Electronics	IRF7468PBF	6,916			0.859	0.859	0.859	0.859	0.859	1d

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Newark

Datasheet8ページ21年前

IHS

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-04-14

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF7468PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 11.7 Milliohms;ID 9.4A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 40 V 15.5 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOIC-8 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2.5 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 40V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):15.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.4A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:75A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7468PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC