Infineon IRF7470PBF

Name: Infineon IRF7470PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7470PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 40V; Rds(on) 9 Milliohms; Id 10A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-12V

$ 0.93

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7470PBF	0	5	Bulk		1.060	0.930	0.930	0.930	20h
Farnell	2	IRF7470PBF..	0	1		2.002*	2.002*	1.048*	0.900*	0.900*	6h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF7470PBF	410	1	Tape & Reel	0.751	0.751	0.751	0.751	0.751	12h
Win Source		WS-IRF7470PBF	11,180	13				3.213	3.213	3.213	7h
Worldway Electronics		IRF7470PBF	16,834	7	Tube		0.986	0.967	0.930	0.911	6h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF7470PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet9ページ21年前

Datasheet8ページ21年前

Farnell

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

CADモデル

製造元 Infineon IRF7470PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-04-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF7470PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 9 Milliohms;ID 10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V

RS (Formerly Allied Electronics)

Transistor MOSFET N Channel 40 Volt 10.6 Amp 8 Pin SOIC

Jameco

Single N-Channel 40 V 13 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

SMPS HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET N, LOGIC SO-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipatio

Farnell

MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10A; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:85A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7470; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC